10 月 27 日，科技媒体 semiconleadersasia 发布博文称，前英特尔首席执行官帕特·基辛格正通过风投机构 Playground Global 支持存储初创公司 Nagare Labs，开发名为 Z2RAM 的新型 AI 计算内存。该公司近期完成 500 万美元种子轮融资，由 Playground Global 领投。
用后端工艺绕开 EUV，目标比特密度 5 倍 SRAM
Z2RAM 由佐治亚理工学院研究者苏曼·达塔与于世萌创立，采用氧化物半导体材料，计划通过 3D 混合键合直接集成在逻辑芯片上方。关键思路是使用标准后端工艺（BEOL），不依赖极紫外光刻即可通过单次曝光形成多层存储结构，从而提升密度并降低制造复杂度与成本。与依赖电容存电荷的传统 DRAM 不同，Z2RAM 采用基于晶体管的存储单元，可实现非破坏性读取，有望降低访问延迟。公司还计划像 NAND 闪存那样垂直堆叠存储单元，其初期实现方案的目标比特密度可达 SRAM 的 5 倍以上。
四年内出样品，商业化放在十年后
这项技术目前仍处于实验室原型阶段。Nagare Labs 正在寻找研发制造合作伙伴，以突破大学洁净室的产能限制。公司计划在四年内推出可工作的 Z2RAM 内存芯片样品，并把商业化交付放在未来十年。基辛格此前就公开表达过对现有内存路线的看法，称 HBM 是糟糕的内存。存储层如何同时兼顾速度与密度，直接关系到推理侧的部署成本，关于这一约束的技术讨论，可参考美光 G11 NAND 堆叠超 400 层一文。
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