10 月 22 日消息，美光当地时间 21 日举行 2026 年度技术网络研讨会，公布了一系列存储产品路线图。闪存方面，美光预告了预计 2027H2 产能爬坡的 G11 NAND，这一代直接跳过了 G10 世代，堆叠层数超过 400 层。
G11 NAND 的密度与能耗账
按面积计算的存储密度，G11 NAND 大约是现有 276 层 G9 NAND 的 2 倍，同时能实现至高 1.5 倍的 I/O 速率，数据传输能耗可减少 25% 以上。G11 之后，美光计划在 NAND 中导入突破性的高迁移率材料，实现超密集的单元架构，继续强化节能属性。面向 AI 数据中心，美光同时介绍了两种 AI-class 数据中心级 NAND 设计，分别是基于 SLC 的 GPU 直连 IOPS 优化产品，以及类似 HBF 定义的带宽优化产品。
DRAM 路线：放弃 4F²，转向 3D
更值得注意的是基础 DRAM 层面的判断。美光认为，经过二十多年探索，4F² DRAM 由于复杂度和成本不足已没有可行的规模化路径，在 2D 6F² 遭遇尺寸收缩瓶颈的背景下，3D DRAM 成为未来发展路径。节点进度上，第 7 代 10nm 级 1δ 已在良率爬坡阶段，第 8 代 1ε 引入晶圆键合技术，第 1 代亚 10nm 级 ζÅ 处于早期开发并导入 High NA EUV，第 2 代 ηÅ 正在寻路。1δ 工艺可带来约 25% 的代际存储密度提升，将广泛用于 HBM5、vHBM、vEIM、LPDDR 与 DDR 产品。
2028 年的两种 3D 内存
内存侧，美光预计在标准 HBM5 面世的 2028 年，还会有 vHBM 和 vEIM 两种新型 3D 内存。vHBM 是 3D 集成版 HBM，垂直堆叠 DRAM Die、Base Die 与 XPU 逻辑主芯片，能缩短通信路径、提升带宽效率并降低能耗，同时可与标准 2.5D HBM 共存。vEIM 结构类似但瞄准端侧 AI 推理，初代目标 2TB/s 带宽和低于 1pj/bit 的能效，两者都将采用无凸块混合键合技术并导入集成散热方案。存储墙的应对路线，业内也在同步探索 3D FeNAND 铁电存内计算这类不同架构。
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