11 月 10 日，据韩媒 ZDNET Korea 报道，三星电子已制定计划，力争明年初完成先进封装技术 3D Cube-H 的开发工作。三星此前已开发热压键合技术的 3D Cube-T，目前正在研发混合键合技术的 3D Cube-H。
从 Cube-T 转向 Cube-H
3D Cube 属于把多颗芯片垂直堆叠的先进封装技术，与传统的水平排列结构相比，能在相同面积内集成更多晶体管。三星此前的 3D Cube-T 用的是 TC Bonding，新一代 3D Cube-H 换成 Hybrid Bonding。一位业内人士透露，三星一直在开发面向 3D 系统逻辑芯片的混合键合技术，计划在明年初完成首个设计套件，之后与潜在客户进行评估。
间距与能耗是核心指标
3D Cube-H 的端子间距约为 6 微米，而目前采用传统 TC 键合技术的芯片端子间距至少约 25 微米。行业人士指出，混合键合能大幅提高芯片之间的连接密度，同时降低每比特能耗，散热方面也比 TC 键合更有优势。制程侧的同类进展可参考 AMD EPYC 9006 出货：256 核 2nm 与 Helios 五家首批客户。
目标直接指向 AI 芯片
3D Cube-H 的主要应用方向是超高性能 AI 芯片。如果三星能够成功开发这项技术，其晶圆代工业务有望拿到大客户订单，这也是它在先进封装上补位的关键一步。
从技术路线看，热压键合与混合键合都属于垂直堆叠的键合方案，差别在于键合界面是否需要铜柱。混合键合用铜对铜直接键合，键合间距可以做到微米级，同时去掉传统方案中塑形料与加热环节带来的翘曲风险，这对大尺寸芯粒堆叠尤其关键。
AI 芯片对内存带宽和能效的要求正在提高，先进封装从可选项变成必选项。三星此前在 3D Cube-T 上已经积累量产经验，此次切换到混合键合并把间距压到 6 微米，指向的是更高层数的芯粒堆叠能力。
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