10 月 29 日，三星电子举行 2026Q3 财报电话会议，公司高管表示其 2027 年的 HBM 产能已按既定目标价格售罄，2028 年的整体 DRAM 内存供应将维持紧张。三星 2026Q3 的 DRAM 与 NAND 出货容量均上涨个位数百分点，ASP 分别增长 20% 和近 10%，企业预计 2026Q4 的 DRAM 出货容量将增长 15% 到 20%，NAND 增长 15% 左右。存储半导体市场整体仍供大于求，高管特别提到收到了大量 QLC 需求。
HBM4 营收占比 60% 与 10 家 LTA
在 HBM 方面，三星已提前实现细分市占齐平整体 DRAM 市占的目标，其 HBM4 销售额在 Q3 环比增长超 3 倍，已占到 HBM 总营收的 60%。三星存储器业务已与 10 家客户签署 LTA，正与另外 10 家就多年期合同进行洽谈。随着对这一协议形式感兴趣的用户扩展到移动、汽车、网络领域，三星正稳步推进通过多年期合同锁定 60% 到 70% 产出的计划，客户对滚动续签的需求远超预计，有些客户希望在协议期内追加供应。
晶圆代工方面，三星计划加大对韩美晶圆厂的投资，希望同步建设先进封装产能，正就建设更多晶圆厂在内的扩展计划进行评估，该业务预计 8nm 以下节点的产能利用率将突破 100%。
把这两组数字放在一起看，供给端的信息更为具体。三年内靠十年期合同锁定六到七成产出，意味着明年的增量空间要靠新建产能和更长周期合约来支撑，现有产线的自然爬坡已不够用。而 HBM4 在一个季度里把营收占比推到六成，也说明高带宽内存已经是这家公司存储器业务的利润主轴，普通 DRAM 的紧张更多体现在合约层面。
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