10 月 30 日，长鑫科技在第三季度业绩交流会透露，报告期内公司第五代工艺技术平台实现量产，在 4F² 垂直沟道 DRAM 架构取得关键突破的基础上，第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证，LPDDR6 产品实现量产。
第五代平台每片晶圆产出提升五成
第五代工艺技术平台是目前长鑫量产最先进的平台，已经推出的主力产品是 245Ball 和 496Ball 封装的 LPDDR5X。相比第四代平台，第五代每片晶圆产出的裸片数量提升至少 50%，在能效和成本控制上都有明显优势，这一收益来自关键工艺维度上的多项突破，包括降低功耗与提升接口速度，为 LPDDR6 未来的大规模量产提供平台支撑。
4F² 架构的送样时间表
第六代平台开发的 4F² 架构通过更紧凑的布局缩小存储单元面积、提高单位面积存储密度。长鑫预计今年年底会将采用 4F² 架构的首代 DDR5 RDIMM 产品送样，应用方向优先落地服务器等高附加值、对密度要求高的产品，之后再逐步向其他品类延伸，规模量产则取决于客户验证进度与市场需求。
键合堆叠与自研晶体管
4F² 架构在产品定义上采用逻辑晶圆与存储晶圆键合堆叠的方式，灵活度更高。公司自研的 VSG 垂直环绕栅极晶体管用垂直包围沟道结构，打通了后续节点继续微缩的路径。面向下一代的前瞻技术布局里，产能分配与海外客户策略同样是变量，站内 长鑫存储拒绝海外订单：LPDDR6 优先供小米等国内客户 记录了同一阶段的另一条线索。
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