台积电考虑 3D DRAM 量产为英伟达备高带宽内存|AI自学笔记

11 月 6 日，《The Information》援引两名知情人士报道，台积电正在评估进军先进内存芯片制造，业务范围可能从晶圆代工延伸到存储芯片。报道称，台积电已应最大客户英伟达的要求，开始规划生产一种名为 3D DRAM 的先进内存芯片。

垂直堆叠应对内存带宽压力

3D DRAM 的技术路线是通过垂直堆叠存储单元来提升容量密度，被视为回应 AI 算力对高带宽、高密度内存需求的一条方向。目前台积电尚未确定量产时间，也未最终决定产能来源，正在评估两条路径。

第一条路径是兴建专用新厂，第二条路径是收购现有晶圆厂并改造为内存生产设施。若最终落地，意味着台积电将进入三星电子、SK 海力士和美光长期主导的存储芯片市场。

对加速器厂商来说，更近的先进内存来源可以缓解高带宽内存的供应压力。当前 HBM 供应紧张直接影响到加速器的出货节奏，英伟达拟改造 130 座电信楼这类电力侧动作，本质上也是在为算力供给扫清外部条件。

从产能格局看，HBM 目前的供应主要掌握在三家存储厂手中，而台积电的优势在先进制程与封装。如果把逻辑代工与存储制造放在同一张晶圆厂的规划里，客户拿到的不只是内存条，而是内存与逻辑在同一封装内的协同方案。这类协同对 AI 加速器的带宽与延迟指标影响直接，代价是晶圆厂管理复杂度的大幅上升。

这条消息目前仍属市场传闻。台积电回应称不评论市场传闻或揣测，并强调公司始终专注于晶圆代工核心业务，英伟达方面未回应置评请求。

AI 自学笔记 每天更新 AI 前沿动态，订阅 RSS，或按 Ctrl/⌘+D 收藏本站，明天见。

同一批更新里这几篇值得一看：

想快速查定义？对应的词条在这里：