10月14日，SK海力士开发总管安铉在首尔COEX举行的第28届韩国半导体大展（SEDEX 2026）上发表主旨演讲，预测到2030年AI基础设施性能规模将增长约20倍，同时披露了应对这一趋势的下一代存储技术布局。
AI推理市场三个维度同步扩张
安铉指出，当前AI推理市场正同时在三个维度快速扩张：任务复杂度不断提升、单次处理信息量（上下文长度）激增，以及推理请求量的井喷式增长。这三个因素相互交织，推动了AI算力基础设施需求的迅猛增长，也对存储子系统提出了前所未有的挑战。
KV Cache成新型性能瓶颈
随着AI推理需求暴增，承担海量数据存储与迁移的存储器关键地位愈发凸显。用于保存并复用前序处理信息的KV Cache容量持续膨胀，迫使系统将数据分摊存储于HBM、DRAM及SSD等不同介质。安铉分析指出，在此过程中产生的数据迁移，正演变为制约性能提升并推高系统能耗的全新瓶颈。
下一代存储技术：3D堆叠DRAM与HBF
SK海力士在持续优化现有HBM性能的同时，正全力推进3D堆叠DRAM以及高带宽闪存HBF等下一代存储技术的研发。安铉强调，行业不能仅停留在提升单一存储芯片性能上，而亟需采取优化整个存储层次结构的全局方案，以应对AI推理带来的存储架构变革。
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