10月18日，据首尔经济日报报道，英伟达已向三家NVHBM供应商——三星电子、SK海力士和美光提出统一要求：使用台积电3纳米工艺制造基底裸片（base die）。英伟达同时指定核心裸片（core die）统一采用代号1c的第六代DRAM工艺。三星设备解决方案事业部经过内部评估，已决定接受这一要求，这是三星首次在HBM核心组件上使用外部晶圆代工。
英伟达推动NVHBM标准化：解决供应商性能不一致问题
英伟达提出这一要求的核心原因是，各家HBM供应商的制造方案各不相同，导致基于同一套设计难以实现稳定一致的性能。标准化可以减轻对每家供应商单独开展产品验证的工作量，同时降低适配复杂度。NVHBM基于第七代下一代HBM标准HBM4E架构开发，代表了英伟达对高带宽内存的下一代定制需求。
三星接受台积电代工：自研方案仍保留作备选
面向标准HBM产品线，三星仍保留一站式全包生产策略。今年三星已率先量产第六代HBM4，第七代HBM4E正在进行量产验证，这两款产品的基底裸片均采用三星自研4纳米代工工艺，核心裸片则在三星华城、平泽厂区的1c产线生产。但对于定制HBM（包括NVHBM），三星决定接受英伟达的台积电代工要求。
与此同时，三星正在验证能否在自有产线上制造NVHBM基底裸片，作为一项预案——防止NVHBM需求超出台积电产能上限。
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