10月18日，三星电子宣布接受英伟达的技术规范，将使用台积电3nm工艺为其代工下一代定制高带宽内存（NVHBM）的基底裸片（base die）。在此之前，三星所有HBM产品从核心裸片到基底裸片均自主生产，此次为首度打破一站式全包模式，标志着英伟达对HBM供应链控制权的进一步强化。
英伟达推进HBM4E供应商标准化
英伟达已向三家NVHBM供应商——三星、SK海力士、美光——统一要求：基底裸片须采用台积电3nm工艺制造，核心裸片则统一使用代号1c的第六代DRAM工艺。英伟达解释此举旨在统一各供应商的设计方案，减少单独验证工作量，实现稳定的性能一致性。NVHBM基于第七代HBM标准HBM4E架构开发，是英伟达在8月发布的定制版高带宽内存，专为下一代AI计算负载优化。
三星保留标准HBM全栈生产，预案应对台积电产能风险
对于标准HBM产品线，三星仍维持一站式全包策略；今年已率先量产第六代HBM4，第七代HBM4E正在进行量产验证，这两款产品的基底裸片均采用三星自研4nm代工工艺。三星同时保留自有产线生产NVHBM基底裸片的可能性，作为台积电产能超限时的应急预案。负责三星晶圆代工业务的设备解决方案事业部（Device Solutions）经内部评估后，决定接受英伟达的要求。
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