黄仁勋:2029 年内存不太可能过剩,LPDDR 能效高出一倍

10 月 23 日,据 CNBC 报道,英伟达 CEO 黄仁勋在周四接受采访时表示,到 2029 年内存芯片行业不太可能出现产能过剩。他的判断依据很直接:「内存的一大好处是,你总是可以用得更多。」

存储板块刚经历一轮集中抛售

这番表态出现在存储板块集体受挫的一周之后。韩国媒体 Maeil Business 此前发文呼吁韩国政府警惕 AI 行业热潮降温,文中援引两位行业专家观点,预计 2029 年将有大量新增产能涌入,把存储市场推向「血雨腥风的红海」。市场担心的正是产能跑在需求前面。

英伟达是 LPDDR 进数据中心的先行者

黄仁勋强调高带宽内存 HBM 未来数年仍将被持续广泛采用,同时指出英伟达是全球首家把手机中采用的 LPDDR 内存引入数据中心的厂商。「这使我们能够提供比当今世界上任何产品高出一倍能效的性能,因此我们也将继续大量使用它们。」

这条表态给算力扩张的底层约束划了条线:当 HBM 与 LPDDR 都还在被持续吞掉时,2029 年的过剩叙事至少在黄仁勋看来站不住。真正卡住扩产的是产能而非需求。对数据中心运营方来说,这决定了接下来的采购节奏和议价策略:现阶段锁量比等降价更现实。