铭芯启睿首款1Gb RRAM芯片泰山一号流片：密度30Mb/mm²

10月13日，存储芯片初创企业铭芯启睿（MemSilicon）宣布首款1Gb RRAM（非易失性存储器）芯片”泰山一号”流片成功，采用28nm工艺与1T4R存储结构，存储密度达30Mb/mm²，正在推进芯片验证与客户送样。

1T4R存储结构突破，密度达30Mb/mm²

泰山一号是铭芯启睿基于1TnR技术路线的首款产品，采用28nm CMOS工艺平台与1T4R存储结构（1个晶体管控制4个电阻单元），单芯片容量达1Gb，存储密度为30Mb/mm²，刷新了同类芯片的密度纪录。1T4R架构相比传统1T1R结构，在相同面积下可将存储密度提升4倍。

访问延时小于20ns，集成片上硬件纠错

在性能方面，泰山一号随机访问延时小于20ns，接近主流NOR Flash水平，可满足嵌入式代码存储与AI推理缓存等场景需求。芯片同时集成片上硬件纠错电路（ECC），可在物理层修正存储单元老化带来的位翻转，提升数据可靠性与芯片使用寿命。

推进产品化落地，国内高密度RRAM赛道加速

RRAM被视为下一代嵌入式存储的有力候选，其制程兼容性高于NOR Flash，且读写能效更优。铭芯启睿成立于2023年，本轮流片是其首款里程碑产品，公司计划于2027年向部分客户送样验证，2028年实现量产。

延伸：AI 推理缓存是 RRAM 的新战场

泰山一号把目标场景放在嵌入式代码存储与 AI 推理缓存上。推理芯片创业公司同样在押注这条路线：Fractile 以 6 亿美元融资、65 亿美元估值主攻 AI 推理芯片，阿里巴巴在云栖大会披露真武 V900 芯片实现 3 倍算力与 50 万卡集群。存储与推理之间的距离正在被拉近。